hth华体育:HBM最新资讯-快科技--科技改变未来

来源:hth华体育    发布时间:2026-09-05 12:16:52
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  快科技9月4日消息,美光科技正计划在今年年底前进行大规模设备投资,全力提升最新一代HBM4 12层产品的供应能力。此举意在弥补与三星电子、SK海力士在HBM产能上的差距,抢夺更多市场占有率。 据悉

  快科技9月4日消息,美国AI芯片初创d-Matrix近日在Hot Chips 2026上详细的介绍了其Raptor 3D-DRAM生成式AI推理加速器。该芯片采用台积电N4逻辑裸片与3D-DRAM面对面堆叠的架构,将内存直接置于计算芯

  快科技9月3日消息,根据Counterpoint Research最新发布的数据,2026年第二季度全世界高带宽存储器(HBM)市场格局出现显著变化。三星电子市场占有率大幅度的提高至33%,与行业龙头SK海力士的差距明显缩小

  快科技9月3日消息,据报道,用于PC、游戏机、服务器的通用型号DDR5的16Gb规格产品7月大宗交易价格敲定为约40.2美元(约合人民币270元),环比上涨5%,价格实现连续7个月走高。 业内的人表示,这

  快科技9月2日消息,AMD近日在内部技术研讨会上披露了一项令人振奋的实验数据:基于混合键合(Hybrid Bonding)技术的3D DRAM架构,其能效相比传统HBM堆栈最高可提升17倍。这在某种程度上预示着在相同功耗下,

  快科技9月1日消息,国产存储芯片制造商长鑫存储在一周之内,连续拿下LPDDR6、HBM3E两项重大突破。 就在几天前,长鑫刚刚宣布LPDDR6内存量产,领先三星、SK海力士成为全世界首家量产LPDDR6的厂商,

  快科技9月1日消息,据新闻媒体报道,用于AI加速器的高带宽内存(HBM)等DRAM产品价格持续飙升。 近日业界指出,合计占据全球存储芯片市场约70%份额的三星电子与SK海力士,已难以跟上激增的DRAM需求

  快科技9月1日消息,英伟达近日在Hot Chips 2026上正式对外发布了NVHBM定制高带宽内存技术。这项技术将内存控制器从XPU主芯片转移到HBM堆栈底部的基片(Base Die)中。 看似只是“搬家”,

  快科技8月31日消息,内存是这一年来涨价幅度最大的芯片之一,内存条普遍涨了5-10倍,明年的缺货情况是最严重的,国内市场也被内存芯片,尤其是高性能HBM卡脖子。 国产HBM内存何时实现用量自由?

  快科技8月31日消息,SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片(Base Die)的生产交由英特尔代工,以减少对台积电晶圆代工的过度依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始慢慢地推进。 在HBM3E及此前世